Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen
Durch ein speziell an die Anlage zur SiC Herstellung angepasstes Computertomographie System ist es möglich den Wachstumsprozess des SiC-Kristalles "in-situ" mitzuverfolgen. Dadurch wird der Einblick in die Prozesse die innerhalb des abgeschlossenen Tiegels bei den sehr hohen Züchtungstemperaturen von bis zu 2500°C ablaufen ermöglicht.
Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, den Einfluss der Wachstumskinetik auf die Kristallmorphologie zu untersuchen. Dabei ergeben sich drei Schwerpunkte, die aufeinander aufbauend betrachtet werden: Der Einfluss der Prozesse im Quellenmaterial (auf Temperaturfeld, Strömungsverhältnisse und Gasphasenzusammensetzung), der Einfluss der Zusammensetzung der Gasphase auf die Wachstumsmorphologie an der Kristalloberfläche und der Einfluss der Wachstumsmorphologie auf die Defektverteilung im Kristallvolumen.
