Kathrin GutscheNeue Membransensoren mit porösem Silizium | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISBN: | 978-3-8440-3044-0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Reihe: | Aktuelle Berichte aus der Mikrosystemtechnik – Recent Developments in MEMS Herausgeber: Prof. Dr. Andreas Schütze und Prof. Dr. Helmut Seidel Saarbrücken | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Band: | 26 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Schlagwörter: | MEMS; Mikromechanik; Drucksensor; poröses Silizium | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Publikationsart: | Dissertation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sprache: | Deutsch | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Seiten: | 134 Seiten | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Abbildungen: | 66 Abbildungen | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Gewicht: | 198 g | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Format: | 21 x 14,8 cm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bindung: | Paperback | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Preis: | 45,80 € | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Erscheinungsdatum: | September 2014 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Zusammenfassung: | In der vorliegenden Dissertation werden Konzepte für neue Anwendungen des Advanced Porous Silicon Membrane- (APSM-) Prozess, welcher die Erzeugung einkristalliner Siliziummembranen über einer hermetisch verschlossenen Vakuumkaverne ermöglicht, entwickelt. Im Fokus stehen kapazitive Drucksensoren sowie Differenzdrucksensoren, welche das Applikationsspektrum im Bereich Empfindlichkeit und Messbereicht sowie Medienbelastung erweitern. Die Motivation liegt vor allem in den besonderen Vorteilen monokristalliner Si-Membranen sowie des Prozesses an sich. Erwähnt seien die hervorragende Langzeitstabilität der Membran und des Vakuums in der Kaverne sowie das hohe Maß an Designfreiheit. Die Arbeit umfasst sowohl die Entwicklung des Waferprozesses als auch die elektrische Charakterisierung der Bauteile mit kapazitivem Auswerteprinzip. Durch die Realisierung eines Rückseitenzugangs zur Membran wird zudem eine Anwendung des Sensors in aggressiven Medien ermöglicht. |