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48,80 €
ISBN 978-3-8440-3039-6
Paperback
202 Seiten
59 Abbildungen
299 g
21 x 14,8 cm
Englisch
Dissertation
September 2014
Florian Werner
Atomic layer deposition of aluminum oxide on crystalline silicon
Fundamental interface properties and application to solar cells
In the present dissertation, Florian Werner investigates the application of atomic layer deposition (ALD) of amorphous aluminum oxide (Al₂O₃) dielectric layers to silicon solar cells. Highlights of his thesis include:
  • A novel spatial ALD process, which is compatible with industry demands.
  • A comprehensive model of the c-Si/Al₂O₃ interface, which describes the chemical composition of the deposited film and electron-hole recombination at the interface.
  • An improved parameterization of intrinsic lifetimes in silicon, which accounts for Coulomb-enhanced Auger and radiative recombination.
  • An Al₂O₃-induced hole inversion layer (IL) as hole-collecting emitter in IL solar cells made on n-type silicon, allowing efficiencies above 26%.
Schlagwörter: aluminum oxide; Al2O3; ALD; surface passivation; inversion layer; silicon; solar cell; photovoltaics; recombination
Über den Autor:
Florian Werner studied physics at the Georg-August-Universität Göttingen, where he graduated in the field of nanowire growth and characterization. He then joined the Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH) for his doctoral studies on silicon photovoltaics.
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