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September 2017
Andreas Hürner
SiC-BIFET
Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz
Diese Arbeit befasst sich schwerpunktmäßig mit der Erforschung und Bewertung der Durchlasseigenschaften von 10kV-SiC-BIFETs mit einer nominellen Sperrfestigkeit von 10kV. Hierzu wurden 10kV-SiC-p-BIFETs mit p-dotiertem Kanal- und Driftgebiet und 10kV-SiC-n-BIFETs mit n-dotiertem Kanal- und Driftgebiet hergestellt und elektrisch charakterisiert. Es konnte dabei erstmals nachgewiesen werden, dass sich auch in einer Spannungsklasse von 10kV, mit diesem Bauelementkonzept eine für bipolare Leistungsschalter typische Modulation des Driftgebietes erreichen lässt.
Schlagwörter: SiC; Leistungshalbleiter; Bipolar; JFET
Erlanger Berichte Mikroelektronik
Herausgegeben von Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel und Prof. Dr. rer. nat. L. Frey, Erlangen
Band 2017,1
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DOI 10.2370/9783844054569
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