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Weiterempfehlung
978-3-8322-9411-3
45,80 €
ISBN 978-3-8322-9411-3
Paperback
128 Seiten
81 Abbildungen
189 g
21 x 14,8 cm
Deutsch
Dissertation
September 2010
Michael Grieb
Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf der Silicium- und Kohlenstoffseite von 4H-Siliciumcarbid
Schlagwörter: 4H-SiC; Oxid; DIt; QBD; CCS; MOS
Erlanger Berichte Mikroelektronik
Herausgegeben von Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel und Prof. Dr. rer. nat. L. Frey, Erlangen
Band 2010,1
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