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48,80 €
ISBN 978-3-8440-8150-3
Paperback
186 Seiten
100 Abbildungen
275 g
21 x 14,8 cm
Deutsch
Dissertation
August 2021
Jonathan Winkler
Elektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik
In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren.
Diese Arbeit beinhaltet Studien über die Eigenschaften der Lichtemission von Silizium und Siliziumkarbid Leistungshalbleiterbauelementen mit Fokus auf Dioden, MOSFETs sowie IGBTs: Es wird gezeigt, wie die durch Injektion hervorgerufene Elektrolumineszenz von vorwärts betriebenen pnÜbergängen in der Leistungselektronik zur Strommessung, Totzeitregelung oder zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur genutzt werden kann.
Schlagwörter: Leistungselektronik; Leistungstransistor; Silizium Si; Siliziumkarbid SiC; MOSFET; IGBT; Diode; Elektrolumineszenz; Lichtemission
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