Christian StrengerHerstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid | |||||||
ISBN: | 978-3-8440-3495-0 | ||||||
Reihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik Herausgeber: Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel und Prof. Dr. rer. nat. L. Frey Erlangen | ||||||
Band: | 2015,2 | ||||||
Schlagwörter: | Transistor; SiC; EELS; MOSFET | ||||||
Publikationsart: | Dissertation | ||||||
Sprache: | Deutsch | ||||||
Seiten: | 194 Seiten | ||||||
Abbildungen: | 38 Abbildungen | ||||||
Gewicht: | 287 g | ||||||
Format: | 21 x 14,8 cm | ||||||
Bindung: | Paperback | ||||||
Preis: | 48,80 € | ||||||
Erscheinungsdatum: | März 2015 | ||||||
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Zusammenfassung: | Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC). |