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Juni 2007
Ralf Bergsträßer
Atomic Layer Deposition von Siliciumdioxid auf nanoskaligem Titandioxid mit Siliciumtetrachlorid als Precursor
- ein kontinuierliches, katalysatorfreies und industriell umsetzbares Verfahren -
Schlagwörter: Technische Chemie; ALD; SiO2; TiO2; kontinuierlich; Wirbelschicht; bewegtes Festbett; CVD; DRIFTS; TPD; Siliciumtetrachlorid; Precursor
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