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Christian Strenger

Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid

ISBN:978-3-8440-3495-0
Reihe:Erlanger Berichte Mikroelektronik
Herausgeber: Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel und Prof. Dr. rer. nat. L. Frey
Erlangen
Band:2015,2
Schlagwörter:Transistor; SiC; EELS; MOSFET
Publikationsart:Dissertation
Sprache:Deutsch
Seiten:194 Seiten
Abbildungen:38 Abbildungen
Gewicht:287 g
Format:21 x 14,8 cm
Bindung:Paperback
Preis:48,80 € / 61,00 SFr
Erscheinungsdatum:März 2015
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ZusammenfassungDie vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC).