|
Christian Tobias Banzhaf
Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs
Band 2016,1
ISBN 978-3-8440-4372-3, Deutsch, Paperback,
270 Seiten,
21 x 14,8 cm, 402 g, 109 Abbildungen,
49,80 € / 62,30 SFR
April 2016
|